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NTR4003NT1G N沟道功率MOSFET SOT23 蓝信伟业
NTR4003NT1G N沟道功率MOSFET SOT23 蓝信伟业
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NTR4003NT1G特征：
●N 沟道 MOSFET，SOT - 23 封装，
●具有低栅极电压阈值、低栅极电荷、ESD 保护栅极，
●适用于表面贴装，
●无铅且符合 RoHS 标准。
 
NTR4003NT1G概述：
是一款小信号 N 沟道功率 MOSFET，采用 SOT - 23 封装提供良好的热性能，具有多种特性以方便驱动电路设计和实现快速开关。
 
NTR4003NT1G参数：
●漏源电压 30V，
●连续漏极电流 0.5A（TA=25℃）、0.37A（TA=85℃），
●脉冲漏极电流 1.7A，功率 0.69W，
●导通电阻典型值 1.5Ω（@2.5V）、1.0Ω（@4.0V），
●阈值电压 Vgs (th) 在 1.2 - 2.2V 范围内，
●工作和存储温度 - 55 至 150℃。
 
 
应用场景：
▲适用于笔记本电脑中的电平转换器、逻辑开关、低端负载开关，以及其他便携式应用中的电源管理、电机驱动、LED 驱动、电源逆变器等电路。
 
NTR4003NT1G特征：
●N 沟道 MOSFET，SOT - 23 封装，
●具有低栅极电压阈值、低栅极电荷、ESD 保护栅极，
●适用于表面贴装，
●无铅且符合 RoHS 标准。
 
NTR4003NT1G概述：
是一款小信号 N 沟道功率 MOSFET，采用 SOT - 23 封装提供良好的热性能，具有多种特性以方便驱动电路设计和实现快速开关。
 
NTR4003NT1G参数：
●漏源电压 30V，
●连续漏极电流 0.5A（TA=25℃）、0.37A（TA=85℃），
●脉冲漏极电流 1.7A，功率 0.69W，
●导通电阻典型值 1.5Ω（@2.5V）、1.0Ω（@4.0V），
●阈值电压 Vgs (th) 在 1.2 - 2.2V 范围内，
●工作和存储温度 - 55 至 150℃。
 
 
应用场景：
▲适用于笔记本电脑中的电平转换器、逻辑开关、低端负载开关，以及其他便携式应用中的电源管理、电机驱动、LED 驱动、电源逆变器等电路。
 
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
移动电话:13424188068 
联系QQ：800007218
联系人:黄小姐、陈先生、陈小姐
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