IPB65R110CFD 功率MOSFET TO263 蓝信伟业
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IPB65R110CFD特征:
●N 沟道 MOSFET,
●具有低导通电阻,
●能承受较大电流。
 
IPB65R110CFD概述:
由意法半导体生产,是一款功率 MOSFET,可在高压电路中实现高效功率转换。
 
IPB65R110CFD参数:
●汲极/源极击穿电压 650V,
●闸/源击穿电压 25V,
●漏极连续电流 130A,
●电阻汲极/源极 RDS(导通)为 0.014Ohms,
●封装为 Max247。
 
应用场景:
▲适用于电源转换电路、电机驱动电路以及高压开关电路等。
 
 
IPB65R110CFD特征:
●N 沟道 MOSFET,
●具有低导通电阻,
●能承受较大电流。
 
IPB65R110CFD概述:
由意法半导体生产,是一款功率 MOSFET,可在高压电路中实现高效功率转换。
 
IPB65R110CFD参数:
●汲极/源极击穿电压 650V,
●闸/源击穿电压 25V,
●漏极连续电流 130A,
●电阻汲极/源极 RDS(导通)为 0.014Ohms,
●封装为 Max247。
 
应用场景:
▲适用于电源转换电路、电机驱动电路以及高压开关电路等。
 
 
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
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