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CS70N30ANR 硅N沟道功率MOSFET TO3P 蓝信伟业
CS70N30ANR 硅N沟道功率MOSFET TO3P 蓝信伟业
CS70N30ANR 硅N沟道功率MOSFET TO3P 蓝信伟业
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CS70N30ANR特征：
硅 N 沟道功率 MOSFET，具有快速开关、低导通电阻等特性。
 
CS70N30ANR概述
CS70N30ANR 通过自对准平面技术，降低了导通损耗，提高了开关性能和雪崩能量。
 
CS70N30ANR参数
导通电阻（Rdson）≤42mΩ，栅极电荷（Qg）典型值为 136.2nC，反向转移电容（Crss）典型值为 107pF，漏源极击穿电压（Vdss）为 300V，漏极电流（Id）为 70A。
 
应用场景：
▲可用于电子镇流器和适配器等的电源开关电路。
 
CS70N30ANR特征：
硅 N 沟道功率 MOSFET，具有快速开关、低导通电阻等特性。
 
CS70N30ANR概述
CS70N30ANR 通过自对准平面技术，降低了导通损耗，提高了开关性能和雪崩能量。
 
CS70N30ANR参数
导通电阻（Rdson）≤42mΩ，栅极电荷（Qg）典型值为 136.2nC，反向转移电容（Crss）典型值为 107pF，漏源极击穿电压（Vdss）为 300V，漏极电流（Id）为 70A。
 
应用场景：
▲可用于电子镇流器和适配器等的电源开关电路。
 
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
移动电话:13424188068 
联系QQ：800007218
联系人:黄小姐、陈先生、陈小姐
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