热销产品
查看更多 >>
首页产品大全INFINEON/英飞凌/IR
BSP613PH6327 晶体管 封装SOT223 蓝信伟业
BSP613PH6327 晶体管 封装SOT223 蓝信伟业
BSP613PH6327
价格: ￥1.430 - ￥1.900
库存: 1200
积分: 0
数量：
数量 单价 折扣
1-99 ￥1.90 ￥0
100-999 ￥1.50 ￥0.4
>=1000 ￥1.43 ￥0.47
        
详细介绍
商品属性
售后服务
评价信息(0)
商品咨询
BSP613PH6327   晶体管        封装SOT223      蓝信伟业
 
特征：
采用 SIPMOS 技术，具有增强模式。具备较低的导通电阻，可降低导通损耗，提高电路效率。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高，无铅引线电镀，符合 RoHS 标准，环保性能好。
 
说明：
BSP613PH6327 是英飞凌推出的小信号 P 沟道 MOSFET，凭借其低导通电阻、宽工作温度范围等特性，可在多种电路中实现高效的功率控制，适用于对可靠性和效率有要求的应用场景。
 
参数：
漏源极电压（VDS）为 - 60V，连续漏极电流（ID）为 - 2.9A（TA=25℃）。导通电阻（RDS (on)）典型值为 0.11Ω（VGS=-10V，ID=2.9A），阈值电压（VGS (th)）为 - 2.1V~-4V。输入电容（Ciss）为 715pF~875pF，耗散功率（Ptot）为 1.8W，工作温度范围为 - 55℃~+150℃。
 
应用场景：
可用于汽车电子中的电源管理和电机控制，也适用于笔记本电脑的电源电路、直流 - 直流转换器，还可应用于电信设备以及一些需要小信号功率控制的消费电子产品中。
 
BSP613PH6327   晶体管        封装SOT223      蓝信伟业
 
特征：
采用 SIPMOS 技术，具有增强模式。具备较低的导通电阻，可降低导通损耗，提高电路效率。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高，无铅引线电镀，符合 RoHS 标准，环保性能好。
 
说明：
BSP613PH6327 是英飞凌推出的小信号 P 沟道 MOSFET，凭借其低导通电阻、宽工作温度范围等特性，可在多种电路中实现高效的功率控制，适用于对可靠性和效率有要求的应用场景。
 
参数：
漏源极电压（VDS）为 - 60V，连续漏极电流（ID）为 - 2.9A（TA=25℃）。导通电阻（RDS (on)）典型值为 0.11Ω（VGS=-10V，ID=2.9A），阈值电压（VGS (th)）为 - 2.1V~-4V。输入电容（Ciss）为 715pF~875pF，耗散功率（Ptot）为 1.8W，工作温度范围为 - 55℃~+150℃。
 
应用场景：
可用于汽车电子中的电源管理和电机控制，也适用于笔记本电脑的电源电路、直流 - 直流转换器，还可应用于电信设备以及一些需要小信号功率控制的消费电子产品中。
 
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
移动电话:13424188068 
联系QQ：800007218
联系人:黄小姐、陈先生、陈小姐
用微信扫一扫二维码，即可自动储存联系方式！  
为您推荐