STN3NF06L 单路N沟道MOSFET SOT223-4 蓝信伟业电子

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STN3NF06L征：

N 沟道 MOSFET，具有低导通电阻、高电流承载能力，工作温度范围宽，具备良好的稳定性和可靠性。

STN3NF06L概述：

由 VBsemi 设计生产的单路 N 沟道 MOSFET，采用先进的半导体技术，能在高电压和大电流条件下稳定工作。

STN3NF06L参数：

漏源电压（Vdss）为 60V，连续漏极电流为 6A，导通电阻（RDS (on)）为 33mΩ（@Vgs=4.5V），栅极电荷（Qg）为 27nC，工作温度为 - 55℃~+175℃，封装为 SOT-223。

应用场景：

▲可用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关等电路中。

STN3NF06L征：

N 沟道 MOSFET，具有低导通电阻、高电流承载能力，工作温度范围宽，具备良好的稳定性和可靠性。

STN3NF06L概述：

由 VBsemi 设计生产的单路N沟道MOSFET，采用先进的半导体技术，能在高电压和大电流条件下稳定工作。

STN3NF06L参数：

漏源电压（Vdss）为 60V，连续漏极电流为 6A，导通电阻（RDS (on)）为 33mΩ（@Vgs=4.5V），栅极电荷（Qg）为 27nC，工作温度为 - 55℃~+175℃，封装为 SOT-223。

应用场景：

▲可用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关等电路中。

电话:+86-755-83681378 83291586 83687442

传真:+86-755-83687442

移动电话:13424188068

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联系人:黄小姐、陈先生、陈小姐

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