SCT2400TVBR N沟道增强型功率MOSFET SOT23-6 蓝信伟业

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SCT2400TVBR特征：

N 沟道增强型功率 MOSFET，低导通电阻，高电流承载能力，快速开关速度，TO-220-3L 封装，散热性能优异。

SCT2400TVBR概述：

Sct（芯洲）推出的中低压功率 MOSFET，专为大电流开关场景设计，导通损耗小，开关响应迅速，可靠性高。

SCT2400TVBR参数：

漏源电压 VDS=40V，连续漏极电流 ID=24A，导通电阻 RDS (on)≤8.5mΩ（VGS=10V），栅源电压 ±20V，功率耗散 75W，工作温度 - 55℃~+150℃。

应用场景：

▲DC/DC 转换器、电源开关、电机驱动电路、电池保护板、逆变器、工业控制功率模块、消费电子电源管理。

SCT2400TVBR特征：

N沟道增强型功率MOSFET，低导通电阻，高电流承载能力，快速开关速度，TO-220-3L 封装，散热性能优异。

SCT2400TVBR概述：

Sct（芯洲）推出的中低压功率 MOSFET，专为大电流开关场景设计，导通损耗小，开关响应迅速，可靠性高。

SCT2400TVBR参数：

漏源电压 VDS=40V，连续漏极电流 ID=24A，导通电阻 RDS (on)≤8.5mΩ（VGS=10V），栅源电压 ±20V，功率耗散 75W，工作温度 - 55℃~+150℃。

应用场景：

▲DC/DC 转换器、电源开关、电机驱动电路、电池保护板、逆变器、工业控制功率模块、消费电子电源管理。

电话:+86-755-83681378 83291586 83687442

传真:+86-755-83687442

移动电话:13424188068

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联系人:黄小姐、陈先生、陈小姐

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