NSI6602B-DSWR N沟道增强型功率MOSFET SOP16 蓝信伟业

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NSI6602B-DSWR特征：

N 沟道增强型功率 MOSFET，低导通电阻，高耐压，PDFN-8 封装，开关速度快，散热性能良好，符合 AEC-Q101 标准。

NSI6602B-DSWR概述：

安森美推出的汽车级功率 MOSFET，专为车载大电流场景设计，导通损耗小，可靠性高，适配汽车电子严苛环境。

NSI6602B-DSWR参数：

漏源电压 60V，连续漏极电流 12A，导通电阻 RDS (on)≤8mΩ（VGS=10V），栅源电压 ±20V，功率耗散 40W，工作温度 - 40℃~+150℃。

应用场景：

▲汽车电子（车载充电器、DC/DC 转换器）、新能源汽车低压辅助电源、工业控制功率模块、电机驱动电路、开关电源。

NSI6602B-DSWR特征：

N沟道增强型功率MOSFET，低导通电阻，高耐压，PDFN-8 封装，开关速度快，散热性能良好，符合 AEC-Q101 标准。

NSI6602B-DSWR概述：

安森美推出的汽车级功率 MOSFET，专为车载大电流场景设计，导通损耗小，可靠性高，适配汽车电子严苛环境。

NSI6602B-DSWR参数：

漏源电压 60V，连续漏极电流 12A，导通电阻 RDS (on)≤8mΩ（VGS=10V），栅源电压 ±20V，功率耗散 40W，工作温度 - 40℃~+150℃。

应用场景：

▲汽车电子（车载充电器、DC/DC 转换器）、新能源汽车低压辅助电源、工业控制功率模块、电机驱动电路、开关电源。

电话:+86-755-83681378 83291586 83687442

传真:+86-755-83687442

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联系人:黄小姐、陈先生、陈小姐

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