IRLR2905ZTRPBF N沟道增强型功率MOSFET TO252 蓝信伟业

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IRLR2905ZTRPBF特征：

N 沟道增强型功率 MOSFET，低导通电阻，高电流承载能力，TO-252 封装，散热性能良好，开关速度快，适合中低压大电流开关场景。

IRLR2905ZTRPBF概述：

英飞凌（Infineon）推出的通用型中低压功率 MOSFET，导通损耗小，稳定性高，适配多种功率控制场景，无需复杂驱动电路，是电源转换和负载驱动的常用器件。

IRLR2905ZTRPBF参数：

漏源电压 VDS=55V，连续漏极电流 ID=30A，导通电阻 RDS (on)≤8mΩ（VGS=10V），栅源电压 VGS=±20V，功率耗散 75W，工作温度 - 55℃~+175℃，上升时间 12ns。

应用场景：

▲DC/DC 转换器、开关电源、电机驱动电路、电池保护板、LED 驱动电源、消费电子功率开关、工业控制负载驱动、电动车辅助电路。

IRLR2905ZTRPBF特征：

N沟道增强型功率MOSFET，低导通电阻，高电流承载能力，TO-252 封装，散热性能良好，开关速度快，适合中低压大电流开关场景。

IRLR2905ZTRPBF概述：

IRLR2905ZTRPBF参数：

漏源电压 VDS=55V，连续漏极电流 ID=30A，导通电阻 RDS (on)≤8mΩ（VGS=10V），栅源电压 VGS=±20V，功率耗散 75W，工作温度 - 55℃~+175℃，上升时间 12ns。

应用场景：

▲DC/DC 转换器、开关电源、电机驱动电路、电池保护板、LED 驱动电源、消费电子功率开关、工业控制负载驱动、电动车辅助电路。

电话:+86-755-83681378 83291586 83687442

传真:+86-755-83687442

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