IRF7490TRPBF 增强型MOSFET SOP8 蓝信伟业
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IRF7490TRPBF特征:
英飞凌 N 沟道功率 MOSFET,采用 HEXFET 工艺,导通电阻低,开关速度快,SO-8 封装散热与布局友好,适合高频开关与中小功率场景。
 
IRF7490TRPBF概述:
增强型 MOSFET,低导通损耗与快速开关特性,适配 DC-DC 转换、负载开关等,性价比高,是中小功率高效电源的常用开关器件。
 
IRF7490TRPBF基本参数:
漏源电压 100V,连续漏极电流 5.4A,导通电阻 39mΩ(Vgs=10V),栅极电荷 36nC,功耗 2.5W,工作温度 - 55℃-150℃,封装 SO-8。
 
应用场景:
▲DC-DC 转换器、开关电源、电机控制、LED 驱动、负载开关与电池管理系统。
 
IRF7490TRPBF特征:
英飞凌 N 沟道功率 MOSFET,采用 HEXFET 工艺,导通电阻低,开关速度快,SO-8 封装散热与布局友好,适合高频开关与中小功率场景。
 
IRF7490TRPBF概述:
增强型MOSFET,低导通损耗与快速开关特性,适配 DC-DC 转换、负载开关等,性价比高,是中小功率高效电源的常用开关器件。
 
IRF7490TRPBF基本参数:
漏源电压 100V,连续漏极电流 5.4A,导通电阻 39mΩ(Vgs=10V),栅极电荷 36nC,功耗 2.5W,工作温度 - 55℃-150℃,封装 SO-8。
 
应用场景:
▲DC-DC 转换器、开关电源、电机控制、LED 驱动、负载开关与电池管理系统。
 
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
移动电话:13424188068 
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