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IXDN602SIATR 双通道低侧MOSFET驱动器 SOP8
IXDN602SIATR 双通道低侧MOSFET驱动器 SOP8
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IXDN602SIATR特征：
双通道低侧 MOSFET 驱动器，峰值电流 6A/6A，传播延迟 25ns，上升 / 下降时间 10ns，图腾柱输出，输入兼容 TTL/CMOS，过温保护。
 
IXDN602SIATR概述：
高效低侧栅极驱动器，适合驱动中大功率 MOSFET，快速开关与低延迟，简化驱动电路，提升功率转换效率。
 
IXDN602SIATR参数：
电源电压 4.5-18V，工作电流 10mA，封装 SOIC-8，-40℃~125℃，驱动电阻外部可调，支持高频开关≤1MHz。
 
应用领域：
开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机控制、照明驱动、功率因数校正（PFC）电路。
 
IXDN602SIATR特征：
双通道低侧MOSFET驱动器，峰值电流 6A/6A，传播延迟 25ns，上升 / 下降时间 10ns，图腾柱输出，输入兼容 TTL/CMOS，过温保护。
 
IXDN602SIATR概述：
高效低侧栅极驱动器，适合驱动中大功率 MOSFET，快速开关与低延迟，简化驱动电路，提升功率转换效率。
 
IXDN602SIATR参数：
电源电压 4.5-18V，工作电流 10mA，封装 SOIC-8，-40℃~125℃，驱动电阻外部可调，支持高频开关≤1MHz。
 
应用领域：
开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机控制、照明驱动、功率因数校正（PFC）电路。
 
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
移动电话:13424188068 
联系QQ：800007218
联系人:黄小姐、陈先生、陈小姐
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