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BSS205NH6327 N沟道增强型MOSFET SOT23 蓝信伟业
BSS205NH6327 N沟道增强型MOSFET SOT23 蓝信伟业
BSS205NH6327 N沟道增强型MOSFET  SOT23  蓝信伟业
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BSS205NH6327特征（N沟道增强型MOSFET）
采用沟槽式 MOS 工艺，低导通电阻，超低栅极电荷，快速开关特性，小尺寸封装，无铅环保，适合低压高速开关场景，栅极耐压高，抗干扰性强。
 
BSS205NH6327概述
英飞凌推出的低压小功率 N 沟道 MOSFET，兼顾低导通损耗与快速开关性能，小封装适配高密度 PCB 布局，是消费电子、便携设备中负载开关、小功率驱动的优选器件。
 
BSS205NH6327基本参数
漏源电压 VDS=20V；漏极连续电流 ID=4.1A（25℃）；导通电阻 RDS (on)≤80mΩ（Vgs=4.5V）；栅源电压 Vgs=±8V；工作温度 - 55℃~150℃；封装 TSOP-6（表面贴装）。
 
应用场景：
▲便携式设备负载开关、锂电池保护电路、消费电子小功率驱动、USB 端口开关、嵌入式系统电源管理、LED 调光驱动。
 
BSS205NH6327特征（N沟道增强型MOSFET）
采用沟槽式 MOS 工艺，低导通电阻，超低栅极电荷，快速开关特性，小尺寸封装，无铅环保，适合低压高速开关场景，栅极耐压高，抗干扰性强。
 
BSS205NH6327概述
英飞凌推出的低压小功率 N 沟道 MOSFET，兼顾低导通损耗与快速开关性能，小封装适配高密度 PCB 布局，是消费电子、便携设备中负载开关、小功率驱动的优选器件。
 
BSS205NH6327基本参数
漏源电压 VDS=20V；漏极连续电流 ID=4.1A（25℃）；导通电阻 RDS (on)≤80mΩ（Vgs=4.5V）；栅源电压 Vgs=±8V；工作温度 - 55℃~150℃；封装 TSOP-6（表面贴装）。
 
应用场景：
▲便携式设备负载开关、锂电池保护电路、消费电子小功率驱动、USB 端口开关、嵌入式系统电源管理、LED 调光驱动。
 
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
移动电话:13424188068 
联系QQ：800007218
联系人:黄小姐、陈先生、陈小姐
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