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HMC976LP3E GaAs pHEMT射频开关 QFN16 蓝信伟业
HMC976LP3E GaAs pHEMT射频开关 QFN16 蓝信伟业
HMC976LP3E  GaAs pHEMT射频开关  QFN16 蓝信伟业
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HMC976LP3E特征：（GaAs pHEMT射频开关）
单刀双掷（SPDT）射频开关，基于 GaAs pHEMT 工艺，高隔离度，低插入损耗，宽工作频率范围，快速切换速度，正电压控制，无铅陶瓷封装，射频性能优异。
 
HMC976LP3E概述
高性能射频微波开关，专为射频信号路由设计，兼顾宽频、低损耗与高隔离，适配各类射频通信与测试场景，可实现射频信号的快速切换与通道选择。
 
HMC976LP3E参数
工作频率 DC~6GHz；插入损耗≤0.4dB@2GHz；隔离度≥45dB@2GHz；切换时间≤20ns；控制电压 2.7V~5.5V；工作温度 - 40℃~85℃；封装 QFN-16（3x3mm）。
 
应用场景：
▲无线通信基站、射频测试仪器、卫星通信设备、雷达系统、无人机无线通信、射频收发器通道切换。
 
HMC976LP3E特征：（GaAs pHEMT射频开关）
单刀双掷（SPDT）射频开关，基于 GaAs pHEMT 工艺，高隔离度，低插入损耗，宽工作频率范围，快速切换速度，正电压控制，无铅陶瓷封装，射频性能优异。
 
HMC976LP3E概述
高性能射频微波开关，专为射频信号路由设计，兼顾宽频、低损耗与高隔离，适配各类射频通信与测试场景，可实现射频信号的快速切换与通道选择。
 
HMC976LP3E参数
工作频率 DC~6GHz；插入损耗≤0.4dB@2GHz；隔离度≥45dB@2GHz；切换时间≤20ns；控制电压 2.7V~5.5V；工作温度 - 40℃~85℃；封装 QFN-16（3x3mm）。
 
应用场景：
▲无线通信基站、射频测试仪器、卫星通信设备、雷达系统、无人机无线通信、射频收发器通道切换。
 
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
移动电话:13424188068 
联系QQ：800007218
联系人:黄小姐、陈先生、陈小姐
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