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• BB639E7904HTSA1
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• IPW65R110CFD
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• IRFB23N15DPBF
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• IRFR5410TRPBF
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• IRFP9140NPBF
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• IRFB3207ZPBF
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• IR21531STRPBF
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• BFP196W H6327
• BFP196W H6327
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• IRFR5305TRPBF
• IRFR5305TRPBF 超低导通电阻
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• IRFB260NPBF
• IRFB260NPBF
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• IRFP140NPBF
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• IRFR9024NTRPBF 低频应用中的高性能
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• IKW75N65EH5 降低结温和外壳温度
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• IRF9952TRPBF 单个N通道和P通道
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• IRF2807PBF 采用 TO-220封装的75V单N沟道功率 MOSFET
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• IKW75N60T 600 V IGBT，采用反并联二极管，TO-247 封装
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• BFP196WH6327 射频(RF)双极晶体管
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• BSS308PEH6327XTSA1
• BSS308PEH6327XTSA1 P沟道增强型场效应晶体管
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• IRFU024NPBF 55V单个N通道 Power MOSFET, 采用I-Pak封装
• ￥2.40
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• BF2040 E6814 低噪声、高增益控制
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• SAK-TC397XX-256F300S
• SAK-TC397XX-256F300S 系统架构
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• MFI337S3959
• MFI337S3959
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• BAT15-04R 射频二极管
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• IRFR220NTRPBF 通道功率
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• IRFI4019H-117P 通道数字音频
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• IPD50N10S3L-16 功率器件
• ￥4.00
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• IKW40N120H3 采用反并联二极管
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• BC860BW 射频二极管
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• BC850BW 双极晶体管
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• IRFZ48NPBF 采用TO-220封装的 55V 单N沟道功率 MOSFET
• ￥1.46
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• IHW20N135R5
• IHW20N135R5 采用 TO-220封装的 55V 单N沟道功率MOSFET
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• H20PR5
• H20PR5 电阻器封装电气与散热器隔离
• ￥2.75
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• BFP183E7764HTSA1
• BFP183E7764HTSA1 射频(RF)双极晶体管
• ￥0.62
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• IRFP150NPBF 采用 TO-247 封装的 100V 单 N 沟道功率 MOSFET
• ￥2.50
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• IPB044N15N5ATMA1 N-通道功率MOSFET
• ￥20.00
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• BF998 E6327 具有高信噪比品质因数
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• IRFB5615PBF
• IRFB5615PBF 采用TO220封装的150V单N沟道数字音频功率 MOSFET
• ￥2.60
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• IRFB3307ZPBF
• IRFB3307ZPBF 采用TO-220 封装的75V单N沟道 StrongIRFET™功率 MOSFET
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• IRF1405PBF
• 采用 TO-220 封装的55V 单N 沟道功率 MOSFET
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• BFP420 H6327
• BFP420 H6327 基于接地发射极的低噪声器件
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